熱銷產(chǎn)品
三菱A系列IGBT模塊
性能特點
采用最新的CSTBTTM硅片技術(shù):
• 低飽和壓降Vce(sat), 低開關(guān)損耗Esw(on), Esw(off)
• 高短路耐受能力
ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類溝槽型IGBT模塊
采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過采用氮化鋁AlN絕緣層實現(xiàn)優(yōu)良的熱阻特性
成本優(yōu)化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動功率小
飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，通過調(diào)整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來改善溫度循環(huán)能力Δ Tc (焊接層疲勞)，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小，減小柵極電容:柵極驅(qū)動功率近似于平面型IGBTs
功率循環(huán)能力顯著改善，采用新的導(dǎo)線焊接工藝大大提高功率循環(huán)能力ΔTj (導(dǎo)線連接疲勞)
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，通過調(diào)整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來改善溫度循環(huán)能力Δ Tc (焊接層疲勞)，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小，減小柵極電容:柵極驅(qū)動功率近似于平面型IGBTs
功率循環(huán)能力顯著改善，采用新的導(dǎo)線焊接工藝大大提高功率循環(huán)能力ΔTj (導(dǎo)線連接疲勞)
應(yīng)用領(lǐng)域
適合中、低端變頻器產(chǎn)品設(shè)計封裝尺寸
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| 94mm × 48mm | 108mm × 62mm | 110mm × 80mm | 140mm × 130mm |
三菱第五代A系列IGBT模塊產(chǎn)品型號見下表，歡迎聯(lián)系上海菱端電子有限公司產(chǎn)品咨詢及技術(shù)支持。
IGBT Modules (A series)
| 電路拓?fù)?/td> | VCES(V) | Ic(A) | ||||||
| 75 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 | ||
| 2單元 | 1200 |
CM100DY -24A  (45KB) |
CM150DY -24A (45KB) |
CM200DY -24A (45KB) |
CM300DY -24A (45KB) |
CM400DY -24A (48KB) |
CM600DY -24A (49KB) |
|
| 1700 |
CM75DY -34A (110KB) |
CM100DY -34A (101KB) |
CM150DY -34A (121KB) |
CM200DY -34A (102KB) |
CM300DY -34A (100KB) |
CM400DY -34A (126KB) |
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| 1單元 | 1200V |
CM600HA -24A (117KB) |
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CM400HA -24A (118KB) |
CM600HB -24A |
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