熱銷產(chǎn)品
科銳(Cree)發(fā)布第二代碳化硅MOSFET,相比硅材料的解決方案,它可以使系統(tǒng)變得更小,效率更高。在相同的功率密度和開關(guān)效率的條件下,比科銳(Cree)第一代MOSFET產(chǎn)品每安培成本下降一半。從這個角度說,它可以降低OEM的系統(tǒng)成本,終端用戶的能耗和安裝運輸成本。
第二代碳化硅MOSFET具有高開關(guān)速度低寄生電容,高阻斷電壓低導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù),易于并聯(lián),驅(qū)動簡單等特點,廣泛用于光伏,開關(guān)電源,高壓DCDC變換器,電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域;
目前,科銳(Cree)發(fā)布的碳化硅MOSFET電壓等級有1200V,1700V,單管型號的導(dǎo)通電阻分別為25mΩ,40mΩ,80mΩ,160mΩ,280mΩ,1Ω;同時科銳(Cree)還發(fā)布的碳化硅MOSFET模塊,詳細(xì)情況請聯(lián)系我們。
1700-V 1200-V SiC MOSFET Packaged | 1200-V SiC MOSFET Die |
Packaged | Die |
C2M1000170D New! | CPM2-1200-0025B |
C2M0080120D | CPM2-1200-0080B |
C2M0160120D New! | CPMF-1200-S080B |
CMF10120D | CPMF-1200-S160B |
CMF20120D | |
C2M0025120D | |
C2M0040120D | |
C2M0280120D | |
C2M1000170D |