CREE Sic MOSFET

科銳（Cree）發(fā)布第二代碳化硅MOSFET，相比硅材料的解決方案，它可以使系統(tǒng)變得更小，效率更高。在相同的功率密度和開關(guān)效率的條件下，比科銳（Cree）第一代MOSFET產(chǎn)品每安培成本下降一半。從這個角度說，它可以降低OEM的系統(tǒng)成本，終端用戶的能耗和安裝運輸成本。

第二代碳化硅MOSFET具有高開關(guān)速度低寄生電容，高阻斷電壓低導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)，驅(qū)動簡單等特點，廣泛用于光伏，開關(guān)電源，高壓DCDC變換器，電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域;

目前，科銳（Cree）發(fā)布的碳化硅MOSFET電壓等級有1200V，1700V，單管型號的導(dǎo)通電阻分別為25mΩ，40mΩ，80mΩ，160mΩ，280mΩ，1Ω；同時科銳（Cree）還發(fā)布的碳化硅MOSFET模塊，詳細(xì)情況請聯(lián)系我們。