SiC‐SBD 的可靠性

5.1 dV/dt 破壞、 dI/dt 破壞
當(dāng)施加較大的dV/dt 時(shí)，SiC‐SBD 的周邊結(jié)構(gòu)就會(huì)被破壞，這種破壞模式已經(jīng)在其他公司的以往產(chǎn)品中得到印證，但是根據(jù)目前為止的調(diào)查，ROHM 的SBD 即使在50kV/us 左右的狀態(tài)下動(dòng)作也不會(huì)發(fā)生這種破壞模式。文章來(lái)源：http://xudaoyu.cn/
另外，Si‐FRD 在di/dt 較大的情況下，存在因恢復(fù)電流Irr 變大而電流集中從而導(dǎo)致破壞的破壞模式。而SiC‐SBD 的恢復(fù)電流非常小，所以難以發(fā)生這種破壞模式。
5.2 SiC‐SBD 的可靠性測(cè)試結(jié)果

根據(jù)規(guī)格書(shū)中記載的電氣特性來(lái)進(jìn)行故障判定。
Failure criteria: According to the electrical characteristics specified by the specification.
關(guān)于可焊性測(cè)試，判定標(biāo)準(zhǔn)是焊料覆蓋面積≥95%。
Regarding solderability test, failure criteria is 95% or more area covered with solder.
樣品標(biāo)準(zhǔn)：采用可靠性水平90%，故障失效水平λ1=10%，C=0的判定，根據(jù)MIL-STD-19500的指數(shù)分布型計(jì)數(shù)一次抽樣表，采用22個(gè)樣本。