下面的研究采用F3L200R07PE4 650V/200A三電平NPC1 IGBT模塊和2SC0108T2D0-07 SCALE-2驅(qū)動器(拓?fù)淙鐖D1所示)。請參考/2/以了解詳細(xì)信息。TVS的擊穿電壓的典型值設(shè)為479V (1mA/25°C),以支持870V的最大直流母線電壓Vdc(每個半直流母線電壓均設(shè)為相同值以便于測量)。將考慮兩種不同的短路情況。
圖 1 三電平NPC拓?fù)?/div>
橋臂中點(diǎn)(MP)與中性點(diǎn)(0)之間的短路
在圖1的拓?fù)渲校跇虮壑悬c(diǎn)MP與中性點(diǎn)0之間設(shè)置一短路路徑。圖2的測量中所采用的最大直流母線電壓Vdc為870V。
最初,所有的開關(guān)都處于關(guān)斷狀態(tài)(a)。然后導(dǎo)通IGBT S3 (b),則半直流母線電壓435V會施加于IGBT S4 (Vce4),此時無短路電流流過。當(dāng)S4導(dǎo)通時(c),短路電流Ic4流經(jīng)S3和S4,一直增大,直到IGBT S3先退飽和,稍后是S4退飽和。特定的關(guān)斷時序?qū)⒁笙汝P(guān)斷S4,再關(guān)斷S3。但在這里S3會先關(guān)斷(d)。如果不采取保護(hù)措施,短路電流會換流到圖1中的D1和D2,從而導(dǎo)致約870V的全直流母線電壓施加到S3 (Vce3),而這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了IGBT最大耐壓能力。圖2清楚表明,在關(guān)斷S3的整個關(guān)斷過程中(d),電壓Vce3被鉗在最大值500V。當(dāng)短路電流完全關(guān)斷時,半直流母線電壓435V施加到IGBT S3 (e)。
圖 2 在MP與0之間出現(xiàn)短路時的“錯誤”關(guān)斷時序
橋臂中點(diǎn)(MP)與直流母線正端(P)之間的短路
在圖1的拓?fù)渲,在橋臂中點(diǎn)MP與直流母線正端(P)之間設(shè)置短路路徑。圖3的測量中所采用的直流母線電壓Vdc為550V。最初,所有的開關(guān)都處于關(guān)斷狀態(tài)(a)。然后導(dǎo)通IGBT S3 (b)。短路電流IL開始從P流到MP、S3和D6。一半的直流母線電壓Vdc被施加到IGBT S4 (Vce4)。在約1μs后,S4導(dǎo)通(c)。短路電流快速從D6換流到S4(Ic4增大)。當(dāng)IGBTS3退飽和時,它的電流會大幅減。▓D3中未顯示),從而產(chǎn)生Vce3電壓尖峰。因?yàn)槎搪冯娏鱅L為電感性(短路路徑存在最小電感),其將保持相對穩(wěn)定,在整個(d)、(e)和(f)階段,流經(jīng)二極管D1和D2的電流在數(shù)值上等于IL–Ic4,也即IL-Ic4正通過D1和D2續(xù)流。因此,全直流母線電壓Vdc被施加到MP與N之間。在此期間,AAC可將電壓Vce3安全地鉗在500V左右(Vce3會在S3退飽和后立即升高,但不會超過IGBT RBSOA)。直流母線電壓Vdc與Vce3之間的差值(約等于550V-500V=50V)施加到MP、S3、S4和N之間的雜散電感上,因?yàn)镾4仍處于飽和狀態(tài),這會導(dǎo)致Ic4進(jìn)一步增大,但增大速率較低(d)。
當(dāng)S4退飽和時(e),電流Ic4停止增大。特定的關(guān)斷時序會要求先關(guān)斷S4。但在這里S3會先關(guān)斷(f)。這種影響幾乎察覺不到,如圖3所示。原因非常簡單:AAC已經(jīng)限定Vce3電壓,它無法進(jìn)一步升高。驅(qū)動器會嘗試降低S3的門極-發(fā)射極電壓,但AAC功能阻止了這一行為。然后,關(guān)斷IGBT S4 (g),Ic4迅速降至零。對應(yīng)的Vce4電壓由S4的AAC進(jìn)行安全限定。初始短路電流IL然后會完全通過D1和D2續(xù)流,并逐漸減小為零,部分波形如圖3所示(g)。